存儲(chǔ)器發(fā)展趨勢

　　2020年存儲(chǔ)器資本開支同比衰退至少超過15%。在人腦的世界里，海馬體是負(fù)責(zé)存儲(chǔ)和學(xué)習(xí)的，而在計(jì)算機(jī)里面，存儲(chǔ)器就是計(jì)算機(jī)的“海馬體”，可以說，存儲(chǔ)器的性能直接影響計(jì)算機(jī)的綜合性能，是不可或缺的那一部分。以下對存儲(chǔ)器發(fā)展趨勢分析。

　　國內(nèi)閃存NAND大廠長江存儲(chǔ)及手機(jī)用內(nèi)存DRAM大廠合肥長鑫的擴(kuò)產(chǎn)進(jìn)度及資本開支計(jì)劃是否造成全球存儲(chǔ)器行業(yè)的供給過剩，但因?yàn)檫@些國內(nèi)大廠量產(chǎn)初期，良率不佳，再受到新型冠狀病毒影響設(shè)備驗(yàn)收及裝機(jī)，還有設(shè)計(jì)及制程工藝技術(shù)與國際大廠仍有幾個(gè)世代的差距而造成其品質(zhì)，規(guī)格種類，數(shù)量，成本及其價(jià)格均不具市場競爭力，所以預(yù)估其全球存儲(chǔ)器DRAM+NAND半導(dǎo)體市場份額在2022年，不會(huì)超過5%。

　　國產(chǎn)存儲(chǔ)器占全球市場份額

　　國內(nèi)存儲(chǔ)市場發(fā)展迅速，中國是全球最大的存儲(chǔ)器消耗鍋之一。三星、美光、西部數(shù)據(jù)和海力士等廠商是存儲(chǔ)器市場的佼佼者，近年來，國內(nèi)存儲(chǔ)廠商有崛起的勢頭，長江存儲(chǔ)、晉華、兆易、長鑫和紫光等存儲(chǔ)器企業(yè)。曙光、浪潮、大華、宇視、聯(lián)想等都是存儲(chǔ)器廠商的大客戶?，F(xiàn)從三大方向來分析存儲(chǔ)器發(fā)展趨勢。

　　永久性

　　與現(xiàn)有技術(shù)相比，所有這些技術(shù)都是非易失性的，是DRAM所沒有的重大優(yōu)勢，并且它們都支持原位編程，這使得它們比NAND或NOR閃存的編寫速度快得多。

　　可擴(kuò)展性

　　另一個(gè)重要的考慮因素是該技術(shù)的可擴(kuò)展性。某些新型的存儲(chǔ)器技術(shù)，特別是FRAM和PCM，已經(jīng)面臨挑戰(zhàn)。但FRAM還沒有成功地在90nm以下成功縮放PCM的“on”電阻會(huì)隨著單元尺寸的縮小而增加，使得該技術(shù)在工藝縮小時(shí)面臨不少雜音，雖然PCM研究人員在十年前成功就已開發(fā)出5nm的單元。氧空缺ReRAM據(jù)稱在縮放到10nm以下時(shí)會(huì)遇到問題。Adesto的導(dǎo)電橋技術(shù)和Crossbar的納米導(dǎo)電金屬細(xì)絲技術(shù)預(yù)計(jì)可以做到10nm以下。

　　工藝復(fù)雜性

　　PCM和Crossbar的導(dǎo)電金屬細(xì)絲存儲(chǔ)器在這方面具有優(yōu)勢，因?yàn)?它們的選擇器元件比其他技術(shù)更簡單。Crossbar 的選擇器包含在位單元內(nèi)，而PCM在同一方向上使用電流進(jìn)行置位，復(fù)位和讀取操作，因此它只需要一個(gè)簡單的二極管。在這兩個(gè)中，Crossbar單元的工藝更簡單，由于沒有選擇器元件，它所需的沉積層更少。

　　如今的存儲(chǔ)器更小，集成度更高，芯片級存儲(chǔ)器層出不窮，隨著大數(shù)據(jù)和人工智能技術(shù)的進(jìn)步，邊緣計(jì)算成為一種新的需求，對存儲(chǔ)器速度要求高了，而且存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)中數(shù)據(jù)存放的主要介質(zhì)，在容量提升的同時(shí)，面對存儲(chǔ)市場的變化，選擇最合適的存儲(chǔ)器是很多廠商重點(diǎn)關(guān)注的課題。