2018年全球存儲器市場預(yù)計同比增長26.4%,市場規(guī)模將達(dá)1567.9億美元。存儲器行業(yè)總是處于交替出現(xiàn)的漲跌循環(huán)之中,其產(chǎn)業(yè)周期強(qiáng)于電子元器件市場整體的周期性,暴漲暴跌的情況可謂常態(tài)。以下對存儲器行業(yè)趨勢分析。
2019年1-9月中國存儲器出口數(shù)量為15867百萬個,同比下降2%;存儲器行業(yè)分析指出,2019年1-9月中國存儲器出口金額為38960974千美元,同比增長23.3%。
2013-2019年9月中國存儲器出口數(shù)量及出口金額統(tǒng)計表
存儲器廣泛應(yīng)用于計算機(jī)、消費電子、網(wǎng)絡(luò)存儲、物聯(lián)網(wǎng)、國家安全等重要領(lǐng)域,是一種重要的、基礎(chǔ)性的產(chǎn)品。在計算機(jī)的運算過程中,輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機(jī)程序、中間運行結(jié)果和最終運行結(jié)果都會保存在存儲器里,可以說存儲器是現(xiàn)代信息技術(shù)發(fā)展的核心部件之一?,F(xiàn)從四大方向來分析存儲器行業(yè)趨勢。
多芯片封裝(MCP)技術(shù)可以將FLASH、DRAM等不同規(guī)格的芯片利用系統(tǒng)封裝方式整合成單一芯片,生產(chǎn)時間短、制造成本低,且具低功耗、高數(shù)據(jù)傳輸速率等優(yōu)勢,已經(jīng)是便攜式電子產(chǎn)品內(nèi)置內(nèi)存產(chǎn)品最主要的規(guī)格。另外,數(shù)字電視、機(jī)頂盒、網(wǎng)絡(luò)通信產(chǎn)品等也已經(jīng)開始采用各式MCP產(chǎn)品。2004年,MCP的全球需求量由2003年的2.3億塊增長到3.4億塊,增長了47.8%。存儲器行業(yè)趨勢預(yù)計2005年全球需求量將達(dá)到4.2億塊。包括Samsung、Hynix、Intel等重量級IC廠商都紛紛看好此市場前景,競相推出相關(guān)產(chǎn)品。目前Renesas的嵌入式存儲器出貨量中大約90%是MCP,Spansion公司無線市場上存儲器的出貨量80%也是MCP,而兩年前這一比例只有30%。
針對不同的應(yīng)用市場,SRAM產(chǎn)品的技術(shù)發(fā)展已經(jīng)呈現(xiàn)出了兩大趨勢:一是向高性能通信網(wǎng)絡(luò)所需的高速器件發(fā)展;另一個是降低功耗,以適應(yīng)蓬勃發(fā)展的便攜式應(yīng)用市場。存儲器行業(yè)趨勢分析,2004年,手機(jī)等移動終端市場對SRAM的需求約占總需求的50%左右,另有30%左右的SRAM產(chǎn)品被通信市場消化。未來SRAM市場的增長將是平穩(wěn)和漸進(jìn)的。這種特點一方面與其所服務(wù)的應(yīng)用市場的發(fā)展有關(guān),更重要的一點是傳統(tǒng)的SRAM技術(shù)正在受到其他競爭性的DRAM技術(shù)的沖擊。例如,在高速網(wǎng)絡(luò)方面,F(xiàn)CRAM和RLDRAM技術(shù)正在相互競爭中快速成長;在便攜式應(yīng)用領(lǐng)域,諸如CellularRAM與Mobile FCRAM等PSRAM產(chǎn)品也正在逐漸擠壓原先由SRAM獨占的低功耗應(yīng)用空間。
在2004年第二季度舉辦的Intel信息技術(shù)峰會(IDF)上,許多DRAM廠商都推出了DDR2產(chǎn)品的樣片,但是,DDR2成為市場主流還需要時日。存儲器行業(yè)趨勢分析,目前,DDR2產(chǎn)品的價格還很高。而DDR2產(chǎn)品價格偏高主要因素有以下幾個方面:首先,因為DDR2器件尺寸的增加,每個晶圓上生產(chǎn)出更少的器件;其次,DDR2采用了成本較高的BGA封裝和速度更快的測試,也增加了成本。通常,產(chǎn)品在進(jìn)入市場的前6個季度都會存在價格偏高的現(xiàn)象,隨著技術(shù)的發(fā)展和產(chǎn)量的增加,DDR2產(chǎn)品的價格將會不斷下降。總之,DDR和DDR2產(chǎn)品還必然會在市場上并存很長一段時間。
手機(jī)正在取代PC成為高密度半導(dǎo)體存儲器的技術(shù)驅(qū)動器,而且很可能在未來幾年主導(dǎo)存儲器市場的發(fā)展。隨著市場從簡單的語音終端轉(zhuǎn)向功能電話、智能電話及移動媒體網(wǎng)關(guān),這種小型的設(shè)備已經(jīng)具備操作系統(tǒng)及文件系統(tǒng)。存儲器行業(yè)趨勢分析,為了滿足這種市場需求,一場競爭已經(jīng)在四種產(chǎn)品中展開:目前用于保存易失數(shù)據(jù)的DRAM存儲器,用于代碼存儲的NOR FLASH,試圖提高速度以超越附加卡應(yīng)用的NAND FLASH,以及已經(jīng)在一些功能電話中出現(xiàn)的微型硬盤。在2004年Electronica展覽會上,Samsung發(fā)布了采用90納米工藝的1Gb OneNAND。這種帶有一個NOR接口的NAND閃存具有高達(dá)5Kb的內(nèi)部緩存RAM,它能提供100 Mbps的恒定讀取速率,這比現(xiàn)有的NAND FLASH快4倍。M-Systems提供了基于NAND的固態(tài)磁盤仿真硬件。該產(chǎn)品可以將媒體數(shù)據(jù)直接寫入系統(tǒng),而不必將其在DRAM中進(jìn)行緩存,可以減少系統(tǒng)中DRAM的數(shù)量。Spansion聲稱將把其NOR MirrorBit FLASH發(fā)展成與普通NAND FLASH具有相同密度和價位水平的產(chǎn)品,同時提供更快的速度和更高的可靠性。
存儲器行業(yè)趨勢分析,如今的存儲器更小,集成度更高,芯片級存儲器層出不窮,隨著大數(shù)據(jù)和人工智能技術(shù)的進(jìn)步,邊緣計算成為一種新的需求,對存儲器速度要求高了,而且存儲器是計算機(jī)中數(shù)據(jù)存放的主要介質(zhì),在容量提升的同時,面對存儲市場的變化,選擇最合適的存儲器是很多廠商重點關(guān)注的課題。