半導體存儲器行業(yè)市場現(xiàn)狀：高度壟斷逐步加劇

　　半導體存儲器是一種以半導體電路作為存儲媒體的存儲器,內(nèi)存儲器就是由稱為存儲器芯片的半導體集成電路組成。

　　2016-2021年中國半導體存儲器行業(yè)發(fā)展分析及投資潛力研究報告表明，半導體集成電路持續(xù)叐到國家政策的扶持，近期仍國家層面到地方層面的政策及資本的持續(xù)也是持續(xù)丌斷。存儲器是集成電路產(chǎn)業(yè)的基礎產(chǎn)品之一，產(chǎn)品的成熟度和產(chǎn)業(yè)的觃模敁應均較為顯著，而目前中國大陸地匙的企業(yè)在相關領域內(nèi)的仹額仌然較低，通過國家政府層面的大觃模投資有機會快速切入相關領域，也是芯片國產(chǎn)化之路邁出的可靠而重要的一步。

　　全球半導體產(chǎn)品的銷售額和存儲器銷售額

　　半導體存儲器是一個高度壟斷的市場，其三大主流產(chǎn)品DRAM，NANDFlash，NORFlash更是如此，尤其是前兩者，全球市場基本被前三大公司占據(jù)，且近年來壟斷程度逐步加劇。以DRAM和NAND兩種主要存儲芯片為例，2016年第一季度，DRAM市場93%份額由韓國三星、海力士和美國美光科技三家占據(jù)，而NANDFlash市場幾乎全部被三星、海力士、東芝、閃迪、美光和英特爾等六家瓜分。

　　(1)DRAM：全球市場規(guī)模約410億美元。目前DRAM行業(yè)基本被三星，海力士，美光三家壟斷了95%以上的市場。2014年，三星、海力士在先進制程上表現(xiàn)出眾，三星(Samsung)已大規(guī)模采用20nm工藝，毛利達42%，SK海力士則以25nm工藝為主，毛利率達40%，兩者獲利能力皆進一步提升，而美光的工藝則仍以30nm制程為主，毛利率約為24%，遠低于前兩家，故DRAM市場的壟斷格局有加劇之勢，尤其是三星，由于率先進入20nm量產(chǎn)時代，成功銷售不少高附加價值產(chǎn)品，2015年DRAM市場雖略有萎縮，但三星的營業(yè)收入反而逆勢生長，突破200億美元大關，并連續(xù)24年蟬聯(lián)DRAM半導體全球市占率第一。

　　在移動DRAM市場上，三星與海力士的市占率超過80%，呈現(xiàn)壓倒性優(yōu)勢。

　　(2)NANDFlash：全球市場規(guī)模約300億美元。NAND的壟斷形勢比DRAM更加嚴重，三星依然是行業(yè)龍頭，連續(xù)多年市占率維持在35%左右，東芝則和閃迪聯(lián)手，共同奪得了NAND領域第二的位子，市占率一般保持在30%左右;美光則擁有英特爾的幫助，排行第三;海力士在2011年市占率超過了美光，之后則將重心放在了DRAM方面，2012-14年連續(xù)三年排第四。上述四家公司壟斷了整個NAND市場，且壟斷程度呈上升趨勢，2011年到2014年期間，四大寡頭的NAND市占率由91.3%上升到了99.2%。

　　(3)NORFlash：全球市場規(guī)模約30億美元。相對DRAM和NAND來說，NOR市場要小的多，分散程度也更大，目前市場主要由美光、飛索半導體(被Cypress收購)、旺宏、三星、華邦、兆易創(chuàng)新、宜揚科技七家主導，前五家屬于IDM模式，后兩家屬于Fabless模式，其中兆易創(chuàng)新是我國唯一一家在主流存儲器設計行業(yè)掌握一定話語權的企業(yè)，其在NORFlash領域進步飛速，2012年還僅占市占率的3.4%，到2013年已躍居11%，位列全球第四。