1nm晶體管誕生 未來處理器性能和功耗將獲巨大進步

　　據(jù)外媒報道，今天，沉寂已久的計算技術界迎來了一個大新聞。勞倫斯伯克利國家實驗室的一個團隊打破了物理極限，將現(xiàn)有最精尖的晶體管制程從14nm縮減到了1nm。 這意味著，未來處理器的性能和功耗都能會獲得巨大進步。

　　晶體管的制程大小一直是計算技術進步的硬指標，而勞倫斯伯克利國家實驗室將現(xiàn)有最精尖的晶體管制程從14nm縮減到1nm，未來電子零部件還有較大縮減空間，處理器的性能和功耗都能會有巨大進步。

　　該研究是教授阿里·加維（AliJavey）領導的一個研究小組完成的，他們利用碳納米管和一種稱為二硫化鉬的化合物開發(fā)出了全球最小的晶體管。

　　從芯片的制造來看，7nm就是物理極限。一旦晶體管大小低于這一數(shù)字，它們在物理形態(tài)上就會非常集中，以至于產(chǎn)生“隧道效應”的量子力學現(xiàn)象，從而阻止電流從源極流到漏極。因此，業(yè)界普遍認為，想解決這一問題就必須突破現(xiàn)有的邏輯門電路設計，讓電子能持續(xù)在各個邏輯門之間穿梭。

　　而德賽稱：“我們的研究成果表明，低于5納米的柵極不是不可能的。一直以來，人們都是基于硅材料來縮小電子零部件的體積。而我們放棄了硅材料，選了二硫化鉬，結果開發(fā)出了只有1納米的柵極。”

　　勞倫斯伯克利國家實驗室的1nm晶體管由納米碳管和二硫化鉬（MoS2）制作而成，MoS2將擔起原本半導體的職責，而納米碳管則負責控制邏輯門中電子的流向。

　　現(xiàn)在，我們使用的主流芯片制程為14nm，明年，整個業(yè)界就將開始向10nm制程發(fā)展。而實驗室的研究還停留在初級階段，一個模具上就有超過10億個晶體管，而要將晶體管縮小到1nm，大規(guī)模量產(chǎn)的困難有些過于巨大。更多相關電子行業(yè)資訊請查閱由中國報告大廳發(fā)布的電子行業(yè)市場調(diào)查分析報告。

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