中國報告大廳發(fā)布的《2025-2030年全球及中國氮化鎵行業(yè)市場現(xiàn)狀調(diào)研及發(fā)展前景分析報告》指出,當前消費電子設(shè)備和新能源領(lǐng)域的快速迭代,正在重塑半導(dǎo)體材料的應(yīng)用格局。隨著高效能、小型化的市場需求持續(xù)攀升,第三代半導(dǎo)體材料展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢,其中以氮化鎵(GaN)為代表的寬禁帶材料正成為推動技術(shù)升級的核心力量。本文將從技術(shù)突破與產(chǎn)業(yè)趨勢兩方面展開分析,揭示這一新興領(lǐng)域的發(fā)展脈絡(luò)。
在消費電子領(lǐng)域,氮化鎵功率器件憑借高頻高效特性,顯著提升了充電設(shè)備的能效表現(xiàn)。相較于傳統(tǒng)硅基方案,采用GaN材料的65W快充適配器體積可縮小40%,同時實現(xiàn)93%以上的轉(zhuǎn)換效率。這一技術(shù)進步直接推動了手機、筆記本電腦等設(shè)備廠商加速產(chǎn)品迭代,2023年全球搭載GaN充電模塊的新品占比已突破18%,預(yù)計到2027年將達56%。
隨著新能源汽車和數(shù)據(jù)中心建設(shè)的規(guī)模化推進,高功率密度器件需求呈現(xiàn)爆發(fā)式增長。統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示,2023年全球氮化鎵功率器件市場規(guī)模達到8.3億美元,同比增長67%,其中工業(yè)電源管理領(lǐng)域貢獻了41%的營收份額。這一趨勢促使上游襯底材料廠商加快產(chǎn)能布局,國內(nèi)頭部企業(yè)的6英寸GaN晶圓月產(chǎn)能已突破5萬片,較去年同期增長200%。
盡管氮化鎵技術(shù)優(yōu)勢明顯,但其產(chǎn)業(yè)化仍面臨成本控制和工藝優(yōu)化難題。當前8英寸襯底良率僅維持在75%,導(dǎo)致器件單位成本比硅基方案高出30%45%。此外,高溫穩(wěn)定性等可靠性問題限制了其在車規(guī)級場景的廣泛應(yīng)用。行業(yè)正通過開發(fā)新型外延生長技術(shù)和模塊封裝方案,逐步提升產(chǎn)品性能邊界,部分實驗室測試已實現(xiàn)1200V耐壓等級下98.5%的導(dǎo)通效率。
總結(jié)而言,氮化鎵技術(shù)正在重構(gòu)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局。從消費電子到工業(yè)領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用前景,疊加政策對第三代半導(dǎo)體的支持力度,將持續(xù)釋放該材料的增長動能。隨著制備工藝的成熟與成本曲線下行,預(yù)計未來五年內(nèi)GaN器件將在數(shù)據(jù)中心、光伏逆變及電動汽車充電等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)規(guī)?;瘧?yīng)用,推動全球能源利用效率邁上新臺階。
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本文來源:財經(jīng)報道網(wǎng)
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