第三代半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)化政策加碼 相關(guān)概念股強(qiáng)勢(shì)大漲

　　美國(guó)總統(tǒng)宣布成立“下一代功率電子技術(shù)國(guó)家制造業(yè)創(chuàng)新中心”，期望通過加強(qiáng)第三代半導(dǎo)體技術(shù)的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化，使美國(guó)占領(lǐng)下一代功率電子產(chǎn)業(yè)這個(gè)正出現(xiàn)的規(guī)模最大、發(fā)展最快的新興市場(chǎng)，并為美國(guó)創(chuàng)造出一大批高收入就業(yè)崗位。

　　日本也建立了“下一代功率半導(dǎo)體封裝技術(shù)開發(fā)聯(lián)盟”，由大阪大學(xué)牽頭，協(xié)同羅姆、三菱電機(jī)、松下電器等18家從事SiC和GaN材料、器件以及應(yīng)用技術(shù)開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化的知名企業(yè)、大學(xué)和研究中心，共同開發(fā)適應(yīng)SiC和GaN等下一代功率半導(dǎo)體特點(diǎn)的先進(jìn)封裝技術(shù)。

　　歐洲則啟動(dòng)了產(chǎn)學(xué)研項(xiàng)目“LASTPOWER”，由意法半導(dǎo)體公司牽頭，協(xié)同來自意大利、德國(guó)等六個(gè)歐洲國(guó)家的私營(yíng)企業(yè)、大學(xué)和公共研究中心，聯(lián)合攻關(guān)SiC和GaN的關(guān)鍵技術(shù)。項(xiàng)目通過研發(fā)高性價(jià)比且高可靠性的SiC和GaN功率電子技術(shù)，使歐洲躋身于世界高能效功率芯片研究與商用的最前沿。

　　半導(dǎo)體是中國(guó)技術(shù)雄心的每個(gè)組成部分的基礎(chǔ)。因此，對(duì)于國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體來說，這場(chǎng)高科技戰(zhàn)役只能勝利。中國(guó)政府也將大力支持行業(yè)的發(fā)展，在2021至2025年期間，“舉全國(guó)之力”，在教育、科研、開發(fā)、融資、應(yīng)用等各方面全力發(fā)展第三代半導(dǎo)體，以實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)自主。

　　《2019-2021年中國(guó)半導(dǎo)體拉晶爐設(shè)備市場(chǎng)專題研究及投資可行性評(píng)估報(bào)告》數(shù)據(jù)指出，第三代半導(dǎo)體是以氮化鎵和碳化硅、氧化鋅、氧化鋁、金剛石等為代表的材料。相較前兩代產(chǎn)品性能優(yōu)勢(shì)顯著，憑借其高效率、高密度、高可靠性等優(yōu)勢(shì)，在新能源汽車、通信以及家用電器等領(lǐng)域發(fā)揮重要作用，成為業(yè)內(nèi)關(guān)注的新焦點(diǎn)。

　　中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)副理事長(zhǎng)魏少軍在南京舉行的2020年世界半導(dǎo)體大會(huì)上表示，中國(guó)2020年芯片進(jìn)口預(yù)計(jì)將連續(xù)第三年保持在3000億美元以上。

　　目前，我國(guó)發(fā)展第三代半導(dǎo)體面臨的機(jī)遇非常好，因?yàn)檫^去十年，在半導(dǎo)體照明的驅(qū)動(dòng)下，氮化鎵無論是材料和器件成熟度都已經(jīng)大大提高，但第三代半導(dǎo)體在電力電子器件、射頻器件方面還有很長(zhǎng)的路要走，市場(chǎng)和產(chǎn)業(yè)剛剛啟動(dòng)，還面臨巨大挑戰(zhàn)，必須共同努力。

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