LED芯片行業(yè)現(xiàn)狀

　　2017年中國LED芯片行業(yè)產(chǎn)值規(guī)模達到188億元，較2016年增長29.7%，占全球LED芯片產(chǎn)值比例達到40%。廠商技術(shù)的提升帶來LED光效的提高，單位面積外延片上可切割的芯片數(shù)量增加，芯片成本下降，芯片價格亦逐年下降。以下對LED芯片行業(yè)現(xiàn)狀分析。

　　LED芯片行業(yè)現(xiàn)狀分析，2017年中國大陸LED芯片擴產(chǎn)較快，產(chǎn)值達到188億元，同比增長29.7%，占全球LED芯片產(chǎn)值近40%。2018-2019年中國LED芯片企業(yè)將繼續(xù)擴產(chǎn)，LED芯片行業(yè)分析預(yù)計2019年中國大陸LED芯片產(chǎn)值占全球產(chǎn)值50%以上。2017年中國大陸MOCVD機臺(生產(chǎn)LED芯片的主要機器)數(shù)量同比增長18%，達到1612臺，預(yù)計2020年我國MOCVD設(shè)備將達到2300臺。海外廠商擴產(chǎn)動力不足，擴產(chǎn)的主力是中國大陸廠商。隨著中國陸資MOCVD設(shè)備商包括中晟先甴和中微半導(dǎo)體等逐漸崛起，設(shè)備國產(chǎn)化有望進一步降低中國LED芯片生產(chǎn)成本，增強國內(nèi)芯片大廠的國際競爭力。

　　2014-2020年中國LED芯片產(chǎn)值及增速

　　LED芯片制造也是屬于持續(xù)高投入、規(guī)模經(jīng)濟明顯的行業(yè)。由于我國政府政策支持及企業(yè)研發(fā)資金密集投入，并伴隨大量我國臺灣地區(qū)和韓國LED產(chǎn)業(yè)技術(shù)專家和團隊加入本土企業(yè)，國內(nèi)LED外延芯片企業(yè)的平均技術(shù)水平有了長足發(fā)展，已經(jīng)達到國際先進水平。現(xiàn)從三大結(jié)構(gòu)來分析LED芯片行業(yè)現(xiàn)狀。

　　1、正裝結(jié)構(gòu)

　　在正裝結(jié)構(gòu)中，芯片直接焊接在襯底上，LED的熱量主要產(chǎn)生于很薄的芯片中，封裝后的器件的熱量通過襯底將熱量傳導(dǎo)到散熱底座，然后再傳到外界環(huán)境中。LED芯片行業(yè)現(xiàn)狀分析，小部分的p-GaN層和“發(fā)光”層被刻蝕，從而與下面的n-GaN層形成電接觸。光從上面的p-GaN層取出。由于p-GaN層電導(dǎo)率有限，必須在p-GaN層表面再沉淀一層由Ni和Au組成的電流擴散的金屬層，吸收部分光，降低芯片的出光效率。正裝結(jié)構(gòu)一般用于小功率的LED，因為其散熱性能存在一定的問題。

　　2、倒裝結(jié)構(gòu)

　　LED芯片行業(yè)現(xiàn)狀分析，正裝芯片中會因電極擠占發(fā)光面積而影響發(fā)光效率的問題，所以芯片研發(fā)人員進過一系列的實驗后，設(shè)計了倒裝結(jié)構(gòu)。也就是把正裝芯片倒置，使發(fā)光層發(fā)出的光從電極的另外一側(cè)發(fā)出，這樣就很好的解決了正裝的問題。倒裝芯片除了上述的優(yōu)點外，還有其他方面的優(yōu)點。比如，沒有通過藍寶石進行散熱，可通大電流使用;芯片的尺寸可以做得更小;散熱功能的提升會使得芯片的壽命得到提升。

　　3、垂直結(jié)構(gòu)

　　垂直結(jié)構(gòu)的LED芯片的兩個電極分別在LED外延層的兩側(cè)，正是由于這個設(shè)計，使得正裝結(jié)構(gòu)的電流擁擠現(xiàn)象和熱阻較高問題得以很好的解決。LED芯片行業(yè)現(xiàn)狀分析，同時，垂直結(jié)構(gòu)還可以達到很高的電流密度和均勻度，這對于LED芯片來說，非常關(guān)鍵。正是由于垂直結(jié)構(gòu)有以上的特性，使得垂直結(jié)構(gòu)在LED市場上也占據(jù)著重要的地位，并應(yīng)用于大功率LED領(lǐng)域。

　　LED芯片行業(yè)現(xiàn)狀分析，LED芯片是我國芯片行業(yè)相對發(fā)展較好的領(lǐng)域，目前LED芯片基本實現(xiàn)國產(chǎn)化，并且有部分領(lǐng)先企業(yè)開始向外擴張。隨著國內(nèi)芯片大廠陸續(xù)擴產(chǎn)，海外企業(yè)與國內(nèi)二三線芯片廠逐步收縮產(chǎn)能，LED芯片行業(yè)新格局逐漸形成：產(chǎn)業(yè)向大陸聚集、產(chǎn)能向龍頭聚集。

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