中國報告大廳發(fā)布的《2025-2030年全球及中國存儲行業(yè)市場現(xiàn)狀調(diào)研及發(fā)展前景分析報告》指出,全球存儲市場正經(jīng)歷結(jié)構(gòu)性變革,隨著AI技術(shù)突破與算力需求激增,存儲芯片行業(yè)迎來新一輪增長契機(jī)。頭部廠商密集發(fā)布漲價通知,供需關(guān)系重構(gòu)疊加技術(shù)創(chuàng)新,推動存儲產(chǎn)品價格持續(xù)上行,產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)業(yè)績表現(xiàn)顯著分化,智能穿戴、服務(wù)器等新興應(yīng)用場景成為關(guān)鍵增長極。
2024年全球DRAM和NAND Flash合約價同比上漲約35%,三星、SK海力士等頭部廠商通過減產(chǎn)策略加速行業(yè)去庫存。中國臺灣地區(qū)的存儲模組企業(yè)訂單量環(huán)比增長超60%,主要源于服務(wù)器市場對高密度存儲芯片的迫切需求。在消費(fèi)電子領(lǐng)域,智能手機(jī)內(nèi)存配置普遍從8GB向12GB升級,推動移動存儲市場規(guī)模突破450億美元大關(guān)。
存儲產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)典型的"三年盈利周期"特征,當(dāng)前處于庫存觸底回升階段。中國大陸企業(yè)在2023年新增產(chǎn)能中占比達(dá)38%,通過技術(shù)迭代實現(xiàn)176層NAND Flash量產(chǎn)突破。某頭部封裝企業(yè)表示,其先進(jìn)制程工藝良率已提升至98.5%,為應(yīng)對AI算力需求提前布局CXL內(nèi)存擴(kuò)展標(biāo)準(zhǔn)。
大模型訓(xùn)練單次需要消耗10PB級數(shù)據(jù)存儲空間,推動企業(yè)級SSD出貨量同比增長42%。某頭部AI芯片公司已將HBM(高帶寬內(nèi)存)容量提升至819GB/s,帶動相關(guān)存儲器需求年復(fù)合增長率超65%。智能穿戴設(shè)備方面,AR/VR頭顯平均搭載存儲容量達(dá)32GB,較傳統(tǒng)設(shè)備提升7倍以上。
A股存儲板塊2024年前三季度凈利潤同比增長89%,其中封裝測試環(huán)節(jié)增速領(lǐng)跑全行業(yè)。某華東地區(qū)上市公司通過布局車規(guī)級存儲芯片,實現(xiàn)車載內(nèi)存出貨量季度環(huán)比增長135%。在智能終端領(lǐng)域,頭部廠商與Meta等國際科技巨頭深化合作,穿戴設(shè)備專用存儲芯片市占率突破20%。
年內(nèi)有超過百家投資機(jī)構(gòu)集中調(diào)研存儲產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè),重點關(guān)注先進(jìn)封裝技術(shù)迭代和產(chǎn)能爬坡進(jìn)度。某半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商透露,其應(yīng)用于3D NAND生產(chǎn)的刻蝕機(jī)臺已獲頭部廠商批量訂單。資本市場方面,存儲器指數(shù)年內(nèi)漲幅達(dá)21%,德明利、兆易創(chuàng)新等核心標(biāo)的股價創(chuàng)歷史新高。
總結(jié)來看,存儲芯片行業(yè)正站在技術(shù)迭代與需求爆發(fā)的交匯點,AI算力革命帶來的海量數(shù)據(jù)處理需求將持續(xù)重塑市場格局。隨著國產(chǎn)替代進(jìn)程加速和新興應(yīng)用場景不斷擴(kuò)展,具備核心技術(shù)儲備的企業(yè)將在新一輪產(chǎn)業(yè)周期中占據(jù)戰(zhàn)略制高點,未來35年或?qū)⒂瓉沓掷m(xù)性的業(yè)績釋放窗口期。
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本文來源:證券時報網(wǎng)
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